Новосибирские физики создали флешку с рекордно высокой производительностью

Новосибирские ученые, представляющие Институт физики полупроводников им.А.В. Ржанова, разработали флэш-память, скорость которой превышает все известные аналоги. С результатами научной работы можно ознакомиться в специализированном издании "Наука в Сибири".

По утверждению изобретателей, производительность их разработки в три раза выше, чем у других флешек. Это стало возможным благодаря применению уникальных компонентов устройства. Флэш-память была создана на базе мультиграфена. Туннельный слой изготовлен из диоксида кремния, а материалом для блокирующего слоя стал высокопроницаемый диэлектрик.

Эти компоненты обеспечивают флешке рекордную скорость. Кроме того, мультиграфен намного дольше сохраняет заряд по сравнению с кремнием. Для запуска флэш-памяти в массовое производство необходимы инвестиции около пяти миллиардов долларов США.