IBM и Samsung представили новейшую технологию VTFET для повышения производительности чипов

Компании IBM и Samsung представили новейшую технологию VTFET, по которой транзисторы в чипах размещены не горизонтально, как это принято делать сейчас, а вертикально. Некоторые эксперты утверждают, что эффективность процессоров станет большей, чем при использовании техпроцесса 1 нм.

Сами же разработчики говорят о повышении скорости работы вдвое по сравнению с лучшими современными аналогами. А потребление энергии при этом сократится на 85%.

Весь фокус в том, что при вертикальном расположении транзисторов распределение электрического тока между ними становится намного более рациональным. Разумеется, устройства также станут меньшими в размерах. Не исключено, что с данной разработкой индустрия электроники примерно через два-три года выйдет на качественно новый уровень.