Российские ученые испытали новый материал для нейрокомпьютеров

Российские физики испытали новые материалы для нейрокомпьютеров, разработанные на базе мемристоров. Новшество может стать основой для изготовления мемкомпьютинга, способного обрабатывать информацию оперативной памяти и жесткого диска, как это происходит с нейронами мозга.

Физики из Института лазерных и плазменных технологий НИЯУ МИФИ, Института твердого тела РАН и Института проблем технологии микроэлектроники создали материалы для реализации биполярного эффекта резистивного переключения.

Инновация дает путь для воплощения двух метастабильных состояний – высокорезистивного и низкорезистивного. Материал определяется особенностями физического механизма переключения.